中国台湾拟推 “N-2” 新规，台积电赴美扩产或遇阻

为守住半导体领域的领先优势，中国台湾当局正酝酿一项严苛的新出口规则，核心直指台积电的海外技术输出 —— 拟推行 “N-2” 规则，仅允许这家全球最大晶圆代工厂出口落后其领先生产节点两代的技术。若政策落地，台积电积极推进的美国先进晶圆厂扩张计划或将显著放缓。

此前中国台湾当局执行的是 “N-1” 规则，允许出口落后领先工艺至少一代的技术，而 “N-2” 规则在限制上大幅收紧。按技术世代划分标准，这意味着台积电海外出口的制程节点，需比其最先进技术落后 2~4 年。中国台湾科技委员会成员林发成举例说明，若台积电在岛内研发出 1.2nm 或 1.4nm 级工艺，仅能出口 1.6nm 及以上级别的工艺产品。

从当前产能布局来看，台积电美国亚利桑那州 Fab 21 一期工厂可生产 4nm/5nm（N4/N5）芯片，而其在台湾本土已全面投产 3nm（N3 系列）工艺，且即将大规模量产 2nm（N2）芯片，一期工厂暂时符合 “N-2” 规则要求。但关键转折点在 2027 年，若 Fab 21 二期工厂启动 3nm 工艺生产，将因仅落后 2nm/N2P/A16 工艺一代而不符合新规；不过，若将带有背面供电网络的 A16（1.6nm）工艺视为全新一代，二期工厂则有望适配新框架。

林发成强调，台积电核心研发力量仍扎根中国台湾，工程师与科学家的集中化布局，确保了未来工艺开发的本土根基，即便海外产能与研发中心扩张，技术核心仍留台。同时，半导体行业相关人员均受严格监管，知识产权保护已延伸至人力资本层面。

中国台湾经济部门工业发展局副局长邹宇新补充，台积电未来所有赴美投资都将依法接受审查，超过一定门槛的项目必须经经济部门投资委员会审核，进一步强化对技术与产能外流的管控。

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